概要
本記事では、日本で新たに設立されたメモリー半導体の新会社「SAIMEMORY株式会社」（サイメモリ）についてまとめています。各報道や企業からのリリースなどをベースにまとめています。
SAIMEMORYは、ソフトバンクの100%出資子会社として2024年12月に設立されました。高容量・広帯域・低消費電力を特長とする次世代の積層DRAMメモリー技術「ZAM」（Z-Angle Memory）の実用化に向けた、研究開発・製造・販売を手掛けています。
2026年2月には、米国のIntelとの協業が正式に締結・発表されました。インテルが米国エネルギー省の支援を受けて推進しているAdvanced Memory Technology（AMT）プログラムで確立された次世代メモリーの基盤技術や、Next Generation DRAM Bonding（NGDB）イニシアチブで実証された技術的知見を活用するとのこと。具体的なタイムラインとして、2026年第1四半期に運用開始、2027年に試作機、2030年までに商用化を目指すとしています。
日経新聞によると、開発にはソフトバンクが30億円程度、富士通と理化学研究所も計10億円規模を出資する予定。経済産業省も所管の新エネルギー・新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）を通じて数十億円を支援する見通しとのこと。*1
また、ここで言及されている経産省・NEDOの支援に活用が見込まれるとみられるポスト5G事業の概要もまとめています。
日経新聞によると、製造や試作には新光電気工業や台湾の力晶積成電子製造（PSMC）が協力するとのこと。*2
基本情報
企業ホームページ
会社概要
| 社名 | SAIMEMORY株式会社 （英文 SAIMEMORY Corp.） |
| 所在地 | 東京都港区海岸1-7-1 |
| 設立日 | 2024年12月17日 （社名変更日：2025年5月7日） |
| 事業内容 | メモリ半導体および関連製品の研究開発・製造・販売事業およびその関連事業 |
| 代表者 | 代表取締役社長 兼 CEO 山口 秀哉 |
| 株主 | ソフトバンク株式会社 100% |
役員
代表取締役社長 兼 CEO：山口 秀哉
取締役：丹波 廣寅
取締役：津田 夏樹
CTO：Stephen Morein
ZAM技術
ZAMとは
ZAM=Z-Angle Memory
関連特許
Package architectures having vertically stacked dies for high capacity memory
– Application filed by Intel Corp
US20250201793A1 – Package architectures having vertically stacked dies for high capacity memory – Google Patents
各種補助金など
経済産業省・NEDO ポスト5G事業 *見込み
【研究開発テーマ】
〔2〕先端半導体製造技術の開発（助成）
（e）次世代メモリ技術開発
（e4）高メモリ密度・広帯域・低消費電力な革新的メモリの製造技術開発【GX】
【研究開発項目】
(e4) 高メモリ密度・広帯域・低消費電力な革新的メモリの製造技術開発【ＧＸ】
＜開発対象＞
・高い放熱性を有することにより、高メモリ密度・広帯域・低消費電力の実現を可能と
する革新的メモリの製造技術
＜開発目標＞
・以下の性能要件を満たした上で、一般的なメモリに求められる信頼性要件を満たすこ
と。
－メモリ密度：10Gbit/mm2以上
－帯域密度（xPUに対向する辺の長さで規格化）：450GB/s/mm以上
－メモリ温度：AI性能を評価するための業界標準ベンチマーク（MLPerf等）を実行したときに95℃を超えないこと
－伝送量あたりの消費電力の削減割合：提案時点の製品（HBM）と比較して30%以上
・UCIe等の標準規格に準拠したライブラリを開発すること。
【予算規模】
提案１件当たりの初回ステージゲート審査までの提案時助成費は、原則として３８億円以下とする。
「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業」の公募を開始します（令和7年11月6日） （METI/経済産業省）
動向
2026年2月3日；SAIMEMORY、Intelとの協業を正式発表
2026年2月3日；SAIMEMORY、Intelとの協業を正式発表
・高容量・広帯域・低消費電力を特長とする次世代メモリー技術「ZAM」（Z-Angle Memory）の実用化に向けて、2026年2月2日にIntel Corporation（以下「インテル」）との協業契約を締結
・インテルが米国エネルギー省の支援を受けて推進しているAdvanced Memory Technology（AMT）プログラムで確立された次世代メモリーの基盤技術や、Next Generation DRAM Bonding（NGDB）イニシアチブで実証された技術的知見を活用
・2027年度中のプロトタイプ作製、2029年度中の実用化を目指す。
ソフトバンク子会社のSAIMEMORYとインテル、次世代メモリー技術の実用化に向けて協業 | プレスリリース | SAIMEMORY株式会社
強化研究開発事業／先端半導体製造技術の開発（助成）」に係る公募について | 公募 | NEDO
各種報道・出典など
【独自】ソフトバンクと米インテル、東大がAI向け半導体メモリーの開発会社｜テレ東BIZ
*2ソフトバンクのAIメモリー開発、富士通が参画 省電力で国産復活狙う – 日本経済新聞
【独自】ソフトバンク新会社と米インテルが”次世代メモリー”開発で契約締結 日米連携で2029年度に実用化へ｜テレ東BIZ
コメント