はじめに
今回は、半導体製造での平坦化技術「CMP」に関連した国内主要メーカーをまとめてみました。その他の半導体関連の企業は以下のブログにまとめていますので、ぜひご覧ください！
CMPとは
CMPとは”Chemical Mechanical Polishing（化学的機械研磨）”の略で、研磨材の入った薬品（chemical）と砥石で機械的（mechanical）にウェーハの表面を平らに磨く（polishing）技術です。半導体製造工程ではシリコンウェーハ製造工程・配線工程・素子分離工程など複数の工程で平坦化を行う必要があり、これらの工程でCMP技術が使用される。
CMP工程で使用される装置は「ケミカル・メカニカル・ポリシャ」または単に「CMP 装置」と呼ばれ、図１のような要素から構成されています。
研磨パッド
メタルや酸化膜を研磨する際に研磨材粒子（砥粒）を保持し、加工物の表面に作用させるパーツ。主に硬質発泡タイプがウェーハ表面の研磨に用いられる。
スラリー
研磨剤粒子の分散液。CMPスラリーには酸やアルカリ成分を持つ水溶液にアルミナ（Al2O3）、シリカ（SiO2）、セリア（CeO2）、ジルコニア（ZrO2）などの微細砥粒を混合分散したものが用いられる。平坦化の対象＊によって様々なスラリーが使い分けられる。
＊ウェーハ用、ウェーハラッピング用、酸化膜用、poly-Si用、STI用、W用、Cu用、Cuバリア用など
コンディショナー
平坦化加工の進行に伴って発生する目詰まり現象＊を抑制するために、パッドの表面部分を削り取って目立てするためのパーツ。主にダイヤモンドの砥石が使用される。
＊目詰まり現象：CMPパッドの表面の小さな孔に異物（加工屑や反応生成物）が詰まる現象。初期状態と異なった態様になるため、研磨レートの低下やスクラッチ発生などによるプロセスへの悪影響が生じる。
CMP装置
CMP装置部材
パッド
マブチ・エスアンドティー
ニッタ・デュポン（5186：ニッタが過半数出資）
3104：富士紡ホールディングス
3405：クラレ
コンディショナ
6140：旭ダイヤモンド工業
日鉄ケミカル＆マテリアル（親会社：5401：日本製鉄）
ニッタ・デュポン（5186：ニッタが過半数出資）
昭和工業
5331：ノリタケ
CMPスラリー
スラリー
5201：AGC
4004：レゾナック
7911：トッパンインフォメディア（凸版印刷）
4901：富士フィルム
5384：フジミ
4452：花王
ニッタ・デュポン（5186：ニッタが過半数出資）
4185：JSR
スラリー原料（超高純度コロイダルシリカ）
4368：扶桑化学工業
スラリー供給装置・システム
4005：住友ケミカルエンジニアリング（住友化学）
4088：エア･ウォーター･プラントエンジニアリング（エア・ウォーター）
4188：三菱ケミカルエンジニアリング（三菱ケミカル）
6266：タツモ
テクノメイト
東横化学
関東プラスチック工業
スラリー分析装置
薬液
洗浄剤
4185：JSR
4188：三菱ケミカル
4452：花王ケミカル（花王）
4901：富士フィルム
関東化学
【参考】
https://core.ac.uk/download/pdf/199684877.pdf
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